據(jù)外媒Phone Arena報(bào)道，高通下一代移動(dòng)處理器驍龍820將采用更成熟的制造工藝，以實(shí)現(xiàn)功耗發(fā)熱和性能之間的平衡。

傳驍龍820有兩個(gè)版本 嘗試10nm工藝

據(jù)悉，三星14nm FinFET工藝將是驍龍820選擇的方案之一，這一方案已經(jīng)比較成熟，應(yīng)用于Exynos 7420處理器。同時(shí)，高通也在考慮10nm FinFET的版本。此前，三星宣稱(chēng)10nm工藝會(huì)在年底試產(chǎn)，結(jié)合驍龍820的量產(chǎn)時(shí)間，采用10nm FinFET也并非沒(méi)有可能。

目前，高通并未透露關(guān)于驍龍820的更多消息，只是稱(chēng)其會(huì)使用非平面FinFET工藝。照此來(lái)看，三星14nm和10nm工藝，以及臺(tái)積電16nm制程工藝均屬于此范圍。此外，驍龍820還會(huì)配備Adreno 530圖形處理器和全新的DSP，支持反惡意軟件功能。

據(jù)了解，14nm FinFET和10nm FinFET分別使用的是LPE(Low Power Early)和LPP(Laser-Produced Plasma)版本。其中，LPE為早期版本，功耗和封裝面積都有進(jìn)步，但相對(duì)不成熟，LPP則是升級(jí)版，性能更加出色。由于三星14nm FinFET工藝已經(jīng)成熟，而10nm FinFET工藝還有待進(jìn)步，因此采用14nm FinFET LPP搭配10nm FinFET LPE的策略也比較合理。