現(xiàn)在的智能手機(jī)存儲(chǔ)容量越做越大，很早之前，手機(jī)能有個(gè)8GB、16GB都稱得上頂配，隨著科技的進(jìn)步，軟件的更新速度不斷加快，手機(jī)功能越來越多，用戶對(duì)存儲(chǔ)容量的需求量也越來越高。特別是近幾年，手機(jī)ROM更是到了瘋狂的256GB（像iPhone 7 Plus、ZenFone 3尊爵、ZenFone 2 Deluxe）。雖然不確定未來會(huì)不會(huì)有更高的規(guī)格，但是很明顯的是256GB會(huì)持續(xù)很長(zhǎng)一段時(shí)間。為啥會(huì)這樣呢？
一、智能手機(jī)為何最大ROM只有256GB？
成本受限
大家都知道容量越大，成本越高。而大部分成本取決于存儲(chǔ)介質(zhì)（存儲(chǔ)顆粒），相同容量的情況下，SLC的價(jià)格要明顯高于MLC和TLC，雖然容量的提升反映在成本的具體數(shù)字上可能僅為幾百一千。但考慮到手機(jī)要大規(guī)模生產(chǎn)，聚沙成塔這成語相信大家都懂。
TLC="Trinary-Level Cell，即3bit per cell，該類芯片傳輸速度較慢，壽命短，生產(chǎn)成本低。"MLC="Multi-Level Cell，即2bit per cell，該類芯片傳輸速度一般，壽命一般。至于"SLC=Single-Level Cell，即1bit per cell，這類芯片幾乎只出現(xiàn)在企業(yè)級(jí)SSD上，成本較高，當(dāng)然速度和壽命也是三者中最出色的。
存儲(chǔ)顆粒的三種類型
顆粒規(guī)格的限制
比較出名的三星、鎂光、現(xiàn)代、東芝這些上游存儲(chǔ)顆粒供應(yīng)廠商，其顆粒規(guī)格現(xiàn)時(shí)尚未突破256GB。由于手機(jī)不像電腦那樣體積龐大，供應(yīng)商們通常只能把一顆存儲(chǔ)顆粒裝在小小的手機(jī)內(nèi)，因此手機(jī)容量就取決于這顆存儲(chǔ)顆粒的規(guī)格。
iPhone 7 nand flash芯片
手機(jī)內(nèi)部空間限制
手機(jī)內(nèi)部空間寸金尺土，目前還無法做到兩顆存儲(chǔ)顆粒共存，早期的解決方案是插入手機(jī)內(nèi)存卡（TF卡），不過為了輕薄化與傳輸速度，很多手機(jī)都取消了拓展內(nèi)存卡的功能。但慶幸的是如今手機(jī)內(nèi)置容量都比較大，正常用個(gè)2~3年不成問題。
TF內(nèi)存卡
手機(jī)更換周期縮短
現(xiàn)在的智能機(jī)更新?lián)Q代速度非常快，一年一換甚至一年兩換的大有人在。之前中央電視臺(tái)的《東方時(shí)空》欄目曾經(jīng)做過調(diào)查，結(jié)果表示“52%手機(jī)用戶平均一年以內(nèi)換一部手機(jī)”。因此對(duì)于消費(fèi)者來說，夠用就好，太大也用不完。而廠商更是緊貼著用戶的需求進(jìn)行設(shè)計(jì)/生產(chǎn)。
大環(huán)境下云存儲(chǔ)的發(fā)展
隨著科技進(jìn)步，網(wǎng)速也越來越快，而現(xiàn)在的4G也逐漸取代了之前的3G，未來的5G也呼之欲出，網(wǎng)速的不斷提升就衍生了一個(gè)新的名詞——云存儲(chǔ)。作為新興的存儲(chǔ)技術(shù)，與傳統(tǒng)的購買存儲(chǔ)設(shè)備和部署存儲(chǔ)軟件相比，云存儲(chǔ)有著成本低、見效快、便于管理、方式靈活等優(yōu)點(diǎn)，在保證數(shù)據(jù)安全的情況下，很多用戶更愿意把數(shù)據(jù)存在云端，所以并不需要太多的本地存儲(chǔ)空間。
云存儲(chǔ)
二、未來發(fā)展新趨勢(shì):3D NAND
什么是3D NAND？
3D NAND的概念其實(shí)不難理解：其原理簡(jiǎn)單說來就是“堆疊”，目前由英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這么一來，一個(gè)MLC的閃存芯片上就可以增加最高32GB的存儲(chǔ)空間，如果是單個(gè)TLC閃存芯片則可增加48GB。就目前來說3D NAND閃存屬于一種新興的閃存類型，通過把存儲(chǔ)顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。
3D NAND
3D NAND技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
3D NAND的亮點(diǎn)在于它采用的是立體、垂直堆疊的方式來提高單顆粒中包含芯片的數(shù)量，堆疊層數(shù)的提高最終會(huì)帶來容量的成倍提升，極大的提高產(chǎn)品的使用壽命；3D NAND可以提供更高的指令運(yùn)行效率，使產(chǎn)品的運(yùn)行性能得以提升；簡(jiǎn)化了編程階段，有效減少了產(chǎn)品待機(jī)和工作時(shí)的能耗。
3D NAND
目前，三星、SK Hynix、東芝/閃迪、Intel/鎂光這幾大NAND豪門都已經(jīng)涉足3D NAND閃存了，而武漢新芯科技主導(dǎo)的國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)基地，更是國(guó)內(nèi)首家新建的12寸晶圓廠，投產(chǎn)后直接生產(chǎn)3D NAND閃存，可以說未來3D NAND就是突破移動(dòng)設(shè)備ROM容量的必備技術(shù)。
總結(jié)：
科技在進(jìn)步，我們永遠(yuǎn)無法預(yù)知未來，未來的手機(jī)又會(huì)發(fā)展成啥樣呢？目前，小編還是建議大家購買64GB、128GB的手機(jī)更為合適，夠用就好。考慮到用戶需求的問題，相信之后很長(zhǎng)一段時(shí)間也不會(huì)出超過256GB存儲(chǔ)規(guī)格的手機(jī)。
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