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01月 03

驍龍835新聞稿曝光:10nm工藝性能提升

編輯:匿名 來源:快科技
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高通這次的保密工作做得有點差,驍龍835定于CES開幕之初發(fā)布,1月6日做主題宣講,結果關鍵PPT已經偷跑。現(xiàn)在,爆料大神evleaks甚至送上了高通關于驍龍835的官方新聞稿,再次確認了規(guī)格信息。

綜合指標上,驍龍835的性能比驍龍820/821提升了27%,能耗降低了40%。游戲和VR上,3D渲染速度比820快了25%,同時多支持60倍的屏幕顯示色。

電池續(xù)航:

驍龍835采用10nm工藝,自主Kryo 280八核心設計,可以提供1天以上的通話時間、5天以上的音樂播放、7小時以上的4K視頻,配合QC4.0充電技術,充電5分鐘,使用5小時。

沉浸式AR、VR:

D渲染速度比820快了25%,同時多支持60倍的屏幕顯示色。

驍龍835支持場景和物理音源,支持解碼DSD原片,動作位移延遲減少20%,6角度追蹤。

拍照:

通過Hexagon 690 DSP、Spectra 180 ISP和Adreno 540 GPU的配合,拍照更清晰、對焦更迅速。

軟件算法方面,高通推出了電子防抖3.0、高級4K視頻防抖、滾動快門校正、雙鏡優(yōu)化等。

連接性:

X16 LTE基帶可以提供1Gbps的下載速度,支持802.11ad Wi-Fi,得益于10nm,基帶模塊封裝面積縮小了45%,能效提升60%。

另外,驍龍835頁在安全性、深度學習上做了改善加強,而且它還是首顆支持Win10桌面系統(tǒng)的ARM處理器,相關產品今年晚些時候會亮相。

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