在7nm制程工藝的研發競爭中，臺積電和三星都在持續投入，以求在7nm的關鍵節點上占得先機。其中臺積電已經計劃于今年風險試產7nm芯片，明年實現大規模量產，而三星則制定了更為激進的技術路線圖：7nm芯片在明年年初就可量產，剛好趕上開年旗艦的發布，三星Galaxy S9將成為首款搭載7nm處理器的機型。

在剛剛結束的三星第四季度業績報告會上，三星半導體LBI負責人表示，7nm工藝是一項技術上的挑戰，但三星希望成為行業的領導者，因此制定了一份激進的技術路線圖，計劃于2018年初實現7nm芯片的量產，以此趕上開年Galaxy S9的發布。

業界普遍認為，10nm是短節點或是過渡性節點，而7nm則將是長壽的重要節點，將使處理器的封裝面積、功耗、性能得到改善，包括蘋果、高通等處理器設計大廠都已虎視眈眈，巨大的需求與高額的利潤并存。

為了如期實現7nm制程工藝量產的目標，三星已經著眼于下一代的極紫外光微影(EUV)技術，該技術被業內認為是使晶體管之間距離進一步縮小的關鍵，與現有的技術相比，可以連續單次曝光，大大減少制造過程中的多重曝光步驟、光罩數量以及時間和成本。

在此期間，除了7nm的持續投入，三星也在致力于完善現有的旗艦10nm工藝，包括驍龍835以及自家Exynos處理器的量產，而14nm工藝將服務于中端芯片以及可穿戴設備的芯片。