據(jù)國外媒體phonearena報(bào)道，三星電子宣布其10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)的產(chǎn)能正在穩(wěn)步提升。與此同時(shí)，還將發(fā)力8nm和6nm工藝技術(shù)的研發(fā)。

三星昨天宣布稱，它正在加快生產(chǎn)10nm芯片。目前為止，已經(jīng)將70000多顆第一代LPE(低功耗早期)硅晶片交付給客戶。三星自家的獵戶座8895，以及高通的驍龍835，都采用這種工藝制造。

三星電子執(zhí)行副總裁Jongshik Yoon介紹，10nm第二代LPP版和第三代LPU版將分別在年底和明年進(jìn)入批量生產(chǎn)。

芯片工藝的升級都會(huì)經(jīng)歷這樣一個(gè)循序漸進(jìn)的過程，仍記得驍龍810/820第一代LPE版的過熱問題曾困擾高通很久，在隨后更新的驍龍821中解決了這個(gè)問題。他表示，我們將繼續(xù)提供業(yè)內(nèi)最具競爭力的工藝技術(shù)。

三星還同時(shí)宣布將向其當(dāng)前的工藝路線圖中添加8nm和6nm工藝技術(shù)。與現(xiàn)有的工藝相比，它們將“提供更大的可擴(kuò)展性，性能和功耗優(yōu)勢”，8nm和6nm將繼承使用10nm和7nm工藝的技術(shù)創(chuàng)新。8nm和6nm工藝的所有技術(shù)細(xì)節(jié)將在5月24日美國舉行的三星鑄造論壇上公布。 這也許意味著明年手機(jī)將會(huì)搭載性能更好功耗更低的芯片處理器。