三星電子今天宣布，已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)基于第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)10LPP的片上系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品。

三星稱，與第一代10nm工藝技術(shù)10LPE(低功耗早期)相比，10LPP工藝技術(shù)可使性能提高10%，功耗降低15%。由于該工藝源于已經(jīng)證實(shí)的10LPE技術(shù)，因此可大幅縮短從開發(fā)到批量生產(chǎn)的周轉(zhuǎn)時間，并提供更高的初始生產(chǎn)良率，從而具有競爭優(yōu)勢。

采用10LPP工藝技術(shù)設(shè)計的SoC將用于計劃于明年年初推出的電子設(shè)備。三星電子代工市場營銷副總裁Ryan Lee表示：“通過從10LPE向10LPP的過渡，我們將能夠更好地為客戶提供服務(wù)，同時提高性能，提高初始產(chǎn)量。”

三星電子還宣布，位于韓國華城的最新生產(chǎn)線S3正準(zhǔn)備加速生產(chǎn)10納米及以下工藝技術(shù)。S3是三星代工業(yè)務(wù)的第三家晶圓廠，其它兩家分別是位于韓國Giheung的S1和位于美國奧斯汀的S2。三星的7nm FinFET工藝技術(shù)與EUV(Extreme Ultra Violet)也將在S3大批量生產(chǎn)。