眾所周知, 當(dāng)芯片的封裝數(shù)量增大的同時(shí), 封裝的厚度就會隨之增大。這就會導(dǎo)致多芯片封裝技術(shù)的實(shí)際用途減低，三星使用了它最新的薄片晶圓處理工藝芯片整體的厚度減到最小并且減少芯片之間的空隙。
 
    最終八核心芯片將達(dá)到史無前例的內(nèi)存3.2G容量并僅僅只有1.4mm 厚,、新的八核心芯片封裝技術(shù)可能引發(fā)下一代移動應(yīng)用技術(shù)的變革，一種極端緊湊并且高容量的芯片將會被廣泛使用。在手機(jī)和其它小巧的設(shè)備里它將提供更加強(qiáng)大的功能, 從電影錄影到3D游戲到更高速的的互聯(lián)網(wǎng)接入。它的尺寸僅為11×14×1.4mm 包裹。它內(nèi)部包含包括兩個(gè)1G NAND flash、兩個(gè)256Mb NOR flash、兩個(gè)256M mobile DRAMs、一個(gè)128Mb UtRAM 和一個(gè)64Mb UtRAM 。
市場研究組織iSuppli,預(yù)言, 3G移動電話今后將以每年87％的速度高速增長，三星電子將領(lǐng)導(dǎo)下一代移動芯片領(lǐng)域,包括 DRAM, SRAM 和NAND flash